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Pelloquin, Sylvain. LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high- des transistors CMOS. Thèse. Villeurbanne : Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 2011. Disponible à la Bibliothèque Marie Curie.


Domaine(s) : D18 - Electromagnétisme, Electricité, Electronique
Indice Dewey : 621.381 620 107 2
Langue : Français
Mots-clés : Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS, Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée, Dielectric high K, Equivalent Oxide Thickness - EOT, Epitaxie par jet moléculaire - MBE, Diffraction RHEED - Reflection high-Energy Electron diffraction, Microscopie à Force Atomique, Microscopie électronique en transmission, Spectroscopie de photoélectrons, Réflectivite des rayons X - XRR, Oxygène atomique, Oxyde de Hafnium - HfO2, CMOS - Complementary Metal Oxide SemiConductor, MOSFET - Metal Oxide SeliConductor Field Effect Transistor, Dielectric high K, EOT - Equivalent Oxide Thickness, MBE - Molecular Beam Epitaxy, RHEED - Reflection High Energy Electron Diffraction, Electronic Transmission Microscopy, Photo Electron Spectroscopy, XRR - X-ray reflectivity, Atomic oxygen, Hafnium Oxide -HfO2



Directeur(s) de thèse : Plossu, Carole ; Hollinger, Guy
Etablissement de soutenance : INSA de Lyon
Etablissement de co-tutelle : École Doctorale Electronique, Electrotechnique, Automatique - Lyon
Laboratoire : Institut national des sciences appliquées de Lyon - Lyon, École Doctorale Electronique, Electrotechnique, Automatique - Lyon, INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR5270, Ecole(s) Doctorale(s) : École Doctorale Electronique, Electrotechnique, Automatique (Lyon), Partenaire(s) de recherche : INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR5270 (Laboratoire), Autre(s) contribution(s) : Bernard Chenevier (Président du jury) ; Carole Plossu, Guy Hollinger, Bernard Chenevier, Christophe Vallée, Gilles Reimbold, Mickaël Gros-Jean (Membre(s) du jury) ; Christophe Vallée, Gilles Reimbold (Rapporteur(s))
Numéro national de thèse : 2011ISAL0051
Date de soutenance : 2011

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Résumé français : Depuis l'invention du transistor MOS à effet de champ dans les années 60, l'exploitation de cette brique élémentaire a permis une évolution exponentielle du domaine de la microélectronique, avec une course effrénée vers la miniaturisation des dispositifs électroniques CMOS. Dans ce contexte, l'introduction des oxydes "high- " (notamment HfO2) a permis de franchir la barrière sub-nanométrique de l'EOT (Equivalent Oxide Thickness) pour l'oxyde de grille. Les travaux actuels concernent notamment la recherche de matériaux "high- " et de procédés qui permettraient d'avoir une interface abrupte, thermodynamiquement stable avec le silicium, pouvant conduire à des EOTs de l'ordre de 5Å. L objectif de cette thèse, était d'explorer le potentiel de l oxyde LaAlO3 amorphe déposé sur silicium par des techniques d Épitaxie par Jets Moléculaires, en combinant des études sur les propriétés physico-chimiques et électriques de ce système. Le travail de thèse a d'abord consisté à définir des procédures d'élaboration sur Si de couches très minces ( 4nm), robustes et reproductibles, afin de fiabiliser les mesures électriques, puis à optimiser la qualité électrique des hétérostructures en ajustant les paramètres de dépôt à partir de corrélations entre résultats électriques et propriétés physico-chimiques (densité, stœchiométrie, environnement chimique ) et enfin à valider un procédé d'intégration du matériau dans la réalisation de MOSFET. La stabilité et la reproductibilité des mesures ont été atteintes grâce à une préparation de surface du substrat adaptée et grâce à l'introduction d'oxygène atomique pendant le dépôt de LaAlO3, permettant ainsi une homogénéisation des couches et une réduction des courants de fuite. Après optimisation des paramètres de dépôt, les meilleures structures présentent des EOTs de 8-9Å, une constante diélectrique de 16 et des courants de fuite de l'ordre de 10-2A/cm . Les caractérisations physico-chimiques fines des couches par XPS ont révélé des inhomogénéités de composition qui peuvent expliquer que le mesuré soit inférieur aux valeurs de LaAlO3 cristallin (20-25). Bien que les interfaces LAO/Si soient abruptes après le dépôt et que LaAlO3 soit thermodynamiquement stable vis-à-vis du silicium, le système LAO amorphe /Si s est révélé instable pour des recuits post-dépôt effectués à des températures supérieures à 700ÊC. Un procédé de fabrication de MOSFETs aux dimensions relâchées a été défini pour tester les filières high- . Les premières étapes du procédé ont été validées pour LaAlO3.


English abstract : Since MOS Field Effect Transistor invention in the 60's, the exploitation of this elementary piece of technology allowed an exponential evolution in the microelectronic field, with a frantic race towards miniaturization of CMOS electronic devices. In this context, the introduction of "high- " oxides (notably HfO2) allowed to cross the sub-nanometer barrier of EOT (Equivalent Oxide Thickness) for the gate oxide. Current work are notably related to "high- " research materials and processes that would allow an abrupt and thermodynamically stable interface with respect to silicon, that may lead to EOTs of about 5Å. The purpose of this thesis was to explore the potential of amorphous oxide LaAlO3 deposited on silicon by techniques of molecular beam epitaxy, combining studies of the physicochemical and electrical properties of this system. The thesis work has first consisted in defining procedures for the preparation of very thin ( 4 nm), robust and reproducible layers on Si in order to allow reliable electrical measurements then to optimize the electrical quality of the hetero-structures by adjusting deposition parameters from correlations between electrical results and physicochemical properties (density, stoichiometry, chemical environment...) and finally to validate a method for integrating the material in the realization of MOSFET. The stability and reproducibility of the measurements were achieved thanks to an adapted surface preparation of the substrate and by the introduction of atomic oxygen during the LaAlO3 deposition, thus allowing homogenization of layers and reducing leakage currents. After optimizing the deposition parameters, the best structures exhibit EOTs of 8-9 A, a dielectric constant of 16 and leakage currents in the range of 10-2 A/cm . Accurate physico-chemical characterizations of thin layers by XPS revealed composition inhomogeneities that can explain why the measured is less than values of crystalline LaAlO3 (20-25). Although the LAO/Si interfaces are steep after deposition and LaAlO3 is thermodynamically stable with respect to the silicon, amorphous system LAO/Si has proven unstable during post-deposition annealing carried out at temperatures above 700 Ê C. A process for producing MOSFETs with released dimensions was defined to test high- field. The first stages of the process have been validated for LaAlO3.